Samsung mit neuen SSDs für Rechenzentren

Von besonderem Nutzen seien die Laufwerke (Modellbezeichnung SM843 und SM1625) als schnelle Speicher für eine Vielzahl von Server- und Storage-Applikationen, bei denen Daten schnell bearbeitet werden müssen, so das koreanische Unternehmen. Dazu gehören soziale Medien in der Datenwolke, SQL-Datenbank-Logs, Multimedia-Streaming, Virtualisierung, Video-auf-Abruf und die Online-Verarbeitung von Transaktionen (OLTP, Online Transaction Processing).

Myungho Kim, Vice President of Memory Marketing, Device Solutions, Samsung Electronics sagt: "Samsung wird Anfang des Monats mit großem Ehrgeiz die Produktion seiner neuen SSDs aufnehmen, um den Einsatz von SSDs nicht nur in Servern, sondern auch in Storage-Lösungen voranzutreiben."

SM843
Ausgerichtet auf Rechenzentren, ist Samsungs Halbleiterlaufwerk SM843 ein Multi-Level Chip (MLC) SSD, das gegenüber ähnlichen MLC-basierten Laufwerken eine zwei bis drei Mal höhere Lebensdauer erreichen soll. Das
neue Halbleiterlaufwerk mit SATA-Schnittstelle verfügt über bis zu 800TBW (Terabytes Written). Das Halbleiterlaufwerk SM843 biete mit 11.000 IOPS (Inputs Outputs pro Sekunde) Samsungs höchste dauerhafte, wahlfreie Schreib-Leistungsfähigkeit (Sustained Random Write Performance) mit bis zu 70.000 (Sustained) Random-Read-IOPS. Darüber hinaus soll die maximale Latenz des SM843, oder die Zeit, die es dauert, um Daten von einer Applikation zum Laufwerk zu senden, gegenüber Samsungs bisherigen Enterprise-SSDs um über 80 Prozent geringer sein.

Das SM843 verpricht außerdem, Daten sequenziell mit bis zu 520MB/s (Megabyte pro Sekunde) lesen und mit bis zu 420MB/s schreiben. Das Modell verbrauche im aktiven Betrieb 28 Prozent weniger Energie als Samsungs bisheriges Enterprise-SSD. Zusätzlich ist das SSD mit einer Option zum Schutz bei Stromausfällen verfügbar.

SM1625
Samsung hat diesen Monat auch mit der Vorstellung des anderen neuen Enterprise-SSDs-Modells, dem SM1625, begonnen. Es ist das erste Dual-Port SAS SSD. Verfügbar ist das SM1625 mit Speicherkapazitäten von 100GB, 200GB, 400GB und 800GB.

Entwickelt für den Einsatz in externen Speichersystemen für Hochverfügbarkeits-Umgebungen (HA), verspricht das SM1625 bis zu 41.000 (Sustained) Random-Write-IOPS und liest angeblich wahlfrei mit beiden Ports in Betrieb bis zu 101.000 IOPS. Das Modell schreibe Daten sequenziell mit 740MB/s und lese bei Benutzung beider Ports Daten mit 848MB/s. Ferner bietet es einen Schutz der Daten bei einem eventuellen Stromausfall.

Beide Halbleiterlaufwerke nutzen Samsungs 20-Nanometer-(nm)-Class-NAND-Flash-Memory-Komponenten mit Toggle-DDR-Schnittstelle.

www.samsung.com/global/business/semiconductor/product/flash-ssd/overview

Bildquelle: Samsung